RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 3, страницы 283–288 (Mi qe2628)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Использование эффекта Тальбота для определения соотношения амплитудной и фазовой составляющих решетки инверсной населенности в кристалле ИАГ:Nd при ламповой накачке

Н. Н. Ильичев, В. В. Туморин

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: На основе эффекта Тальбота разработана методика определения соотношения амплитудной и фазовой составляющих решеток инверсной населенности в насыщенных лазерных средах. Проведенные по этой методике эксперименты показали преимущественно амплитудный характер решеток инверсной населенности в ИАГ:Nd с отношением фазовой составляющей к амплитудной не более 0.3 в условиях эксперимента.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 27.06.2003
Исправленный вариант: 20.10.2003


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2004, 34:3, 283–288

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024