RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 4, страницы 310–314 (Mi qe2672)

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Лазеры

Цельноволоконный эрбиевый лазер с диодной накачкой в режиме самомодуляции добротности

С. Х. Крус Висентеa, М. А. Мартинес Гамесa, А. В. Кирьяновb, Ю. О. Барменковa, М. В. Андресc

a Centro de Investigaciones en Optica A. C., Mexico
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
c Departamento de Fisica Aplicada – ICMUV, Universidad de Valencia, Spain

Аннотация: Создан и исследован волоконный эрбиевый лазер с диодной накачкой, работающий в режиме самомодуляции добротности. Лазер реализован в цельноволоконной конфигурации, включающей кусок активного высококонцентрированного эрбиевого волокна и два зеркала в виде волоконных брэгговских решеток, и не требует дополнительных внутрирезонаторных элементов для получения режима коротких импульсов. Анализ работы лазера позволяет заключить, что наиболее вероятным механизмом пассивной модуляции добротности резонатора является поглощение из возбужденного состояния в эрбии, приводящее к термоиндуцированному нелинейному изменению показателя преломления в эрбиевом активном волокне.

PACS: 42.55.Wd, 42.55.Rz, 42.60.Fc

Поступила в редакцию: 22.10.2003
Исправленный вариант: 15.01.2004


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2004, 34:4, 310–314

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024