RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 11, страницы 989–1003 (Mi qe2695)

Эта публикация цитируется в 31 статьях

Приглашенная статья

Генерация ударных волн и образование кратеров в твердом веществе при кратковременном воздействии лазерного импульса

С. Ю. Гуськовa, С. Бородзюкb, М. Калалc, А. Касперчикb, Б. Краликоваd, Е. Кроускиd, И. Лимпоухc, К. Машекd, Т. Писарчикb, П. Писарчикe, М. Пфейферd, К. Рохленаd, Й. Скалаd, Й. Уллшмидd

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Institute of Plasma Physics and Laser Microfusion, Poland
c Faculty of Nuclear Sciences and Physics Engineering, Czech Technical University
d PALS Research Center, Academy of Sciences of the Czech Republic
e Варшавский политехнический университет

Аннотация: Представлены результаты исследований поглощения лазерного излучения в мишени, состояния плазмы ее испаренного вещества, передачи энергии твердому веществу мишени, характеристик ударной волны и кратеров на ее поверхности, проведенных на основе экспериментов по кратковременному воздействию на плоскую мишень плазмообразующего лазерного импульса субнаносекундной длительности. Эксперименты выполнены с массивными мишенями из алюминия на иодном лазере PALS, длительность импульса которого (0.4 нс) была значительно меньше времени затухания ударных волн и образования кратеров в мишени (50–200 нс). Исследования проводились при энергии лазерного излучения 100 Дж и двух длинах волн – 0.438 и 1.315 мкм. Интенсивность излучения при заданной энергии импульса изменялась в широком диапазоне (1013 –1016 Вт/см2) за счет вариации радиуса лазерного пучка. Установлены зависимости, а также (в том числе в условиях сильного влияния двумерных эффектов) характеристик плазменного факела и ударной волны, распространяющейся в твердой мишени эффективности передачи энергии лазерного излучения ударной волне от интенсивности и длины волны лазерного излучения.

PACS: 62.50.+p, 52.38.Mf, 79.20.Ds

Поступила в редакцию: 15.04.2004
Исправленный вариант: 22.07.2004


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2004, 34:11, 989–1003

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024