Однородность излучения лазерной ЭЛТ на основе низкоразмерной структуры GaInP/AlGaInP с резонансно-периодическим усилением

Методом парофазной эпитаксии из металлоорганических соединений выращена периодическая структура с 25 квантовыми ямами GaInP/AlGaInP и изготовлен активный элемент для лазера с продольной накачкой сканирующим электронным пучком. Структура предназначена для реализации резонансно-периодического усиления, когда квантовые ямы находятся в пучностях моды резонатора, соответствующей максимуму линии усиления. Исследованы влияние неоднородности структуры по толщине (до 5%) на характеристики генерации, а также температурная отстройка от условий резонансного усиления. Показано, что для достижения 10%-ной однородности порога генерации вдоль активного элемента период структуры должен отличаться от оптимального значения не более чем на 0.7%.