RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 1, страницы 21–24 (Mi qe275)

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Использование высоких порядков отражения от кристаллов слюды для рентгеноспектральных исследований в диапазоне длин волн 0.1 — 0.3 нм

С. А. Пикузa, В. М. Романоваa, Т. А. Шелковенкоa, Т. А. Пикузb, А. Я. Фаеновc, Э. Ферстерd, Д. Вольфd, О. Верханd

a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана
c Центр данных по спектрам многозарядных ионов, п. Менделеево, Московская обл.
d X-Ray Optics Group, Max Planck Gesellschaft, Friedrich Schiller University, Germany

Аннотация: Впервые проведены исследования кристаллографических и дисперсионных характеристик слюды для больших (V — XI) порядков отражения. Показано, что даже для XI порядка интегральное отражение достаточно интенсивно, чтобы использоваться в экспериментах. Высококачественный изгиб кристалла слюды по сферической поверхности с малым радиусом R = 100 мм и использование таких кристалл-анализаторов в схемах фокусирующих спектрографов с одномерным и двумерным пространственным разрешением позволили зарегистрировать малоинтенсивные спектры многозарядных ионов, образующихся в лазерной плазме и плазме Z-пинчей с уникальным спектральным разрешением λ/Δλ ≈ 6000 – 10000 в широком спектральном диапазоне (0.15 — 1.8 нм).

PACS: 07.85.+n, 52.25.Nr, 52.50.Jm


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1995, 25:1, 16–18

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024