Т. Т. Басиев, Н. Е. Быковский, В. А. Конюшкин, Ю. В. Сенатский, “Применение лазера на центрах окраски в кристалле LiF для накачки активной среды YAG:Yb”, Квантовая электроника, 34:12 (2004), 1138

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Лазеры

Применение лазера на центрах окраски в кристалле LiF для накачки активной среды YAG:Yb

Т. Т. Басиев^a, Н. Е. Быковский^b, В. А. Конюшкин^a, Ю. В. Сенатский^b

^a Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Для накачки Yb:YAG-лазера c 20%-ной концентрацией активатора применен лазер на центрах окраски LiF:F₂⁺, излучавший в спектральном диапазоне 0.89–0.95 мкм. В малых объемах оптически плотной активной среды YAG:Yb удалось перевести на метастабильный уровень иттербия ²F_5/2 до 10% от общего числа ионов активатора, что соответствует запасенной в среде плотности энергии 30 Дж/см³. Получена генерация наносекундных импульсов на переходах между штарковскими компонентами уровней ²F_5/2 и ²F_7/2 ионов Yb³⁺ на длинах волн около 1.03 и 1.05 мкм. Обсуждается возможность применения кристаллов и керамики YAG:Yb в качестве активной среды мощного лазера-драйвера для экспериментов по лазерному термоядерному синтезу.

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 26.04.2004
Исправленный вариант: 12.07.2004