М. М. Зверев, Д. В. Перегудов, И. В. Седова, С. В. Сорокин, С. В. Иванов, П. С. Копьев, “Низкопороговые полупроводниковые лазеры зеленого диапазона с накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 34:10 (2004), 909

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Лазеры

Низкопороговые полупроводниковые лазеры зеленого диапазона с накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерных гетероструктур

М. М. Зверев^a, Д. В. Перегудов^b, И. В. Седова^c, С. В. Сорокин^c, С. В. Иванов^c, П. С. Копьев^c

^a ФГПУ ГНЦ РФ – Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований
^b Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы параметры Cd(Zn)Se/ZnMgSSe-лазеров с различной конструкцией активной области, излучающих в зеленом (λ = 494–555 нм) спектральном диапазоне при накачке электронным пучком с энергией 8–30 кэВ. Минимальная пороговая плотность тока (0.6–0.8 A/см² при комнатной температуре) получена для структуры, активная область которой состояла из ZnSe-квантовой ямы с дробно-монослойной CdSe-вставкой.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 28.06.2004