В. Б. Сигачев, М. Е. Дорошенко, Т. Т. Басиев, Г. Б. Лутц, Б. Х. Чай, “Сенсибилизация люминесценции ионов Er3+ и Ho3+ ионами Cr4+ в кристалле Y2SiO5”, Квантовая электроника, 22:1 (1995), 33

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Активные среды

Сенсибилизация люминесценции ионов Er³⁺ и Ho³⁺ ионами Cr⁴⁺ в кристалле Y₂SiO₅

В. Б. Сигачев^a, М. Е. Дорошенко^a, Т. Т. Басиев^a, Г. Б. Лутц^b, Б. Х. Чай^b

^a Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
^b University of Central Florida, Orlando, USA

Аннотация: Обнаружен эффект сенсибилизации люминесценции ионов Er³⁺ и Ho³⁺ ионами Cr⁴⁺ в кристалле иттриевого ортосиликата Y₂SiO₅ (YSO). Исследованы и проанализированы спектры люминесценции кристаллов YSO:Cr,Er, YSO:Cr,Ho и кинетикa люминесценции донорных ионов Cr⁴⁺ при температурах 77 и 300 К. Показано, что в кристалле Y₂SiO₅:0.2%Cr:0.5%Ho реализуется излучательная передача энергии от ионов Cr⁴⁺ к ионам Ho³⁺. В кристалле Y₂SiO₅:0.1%Cr:1.3%Er передача энергии Cr⁴⁺ — Er³⁺ при 77 К в интервале 2.7 — 24 мкс происходит по безызлучательному диполь-дипольному статическому механизму. Эффективность безызлучательной передачи энергии от ионов Cr⁴⁺ к ионам Er³⁺ по разным оценкам составила 14 — 19% при 77 K.

PACS: 78.50.Ec, 42.55.Rz