Н. И. Жаворонков, В. П. Михайлов, Н. В. Кулешов, Б. И. Минков, А. С. Автух, “Насыщение поглощения кристаллов силикатов, активированных Cr4+, и пассивные лазерные затворы на их основе”, Квантовая электроника, 22:1 (1995), 37

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Активные среды

Насыщение поглощения кристаллов силикатов, активированных Cr⁴⁺, и пассивные лазерные затворы на их основе

Н. И. Жаворонков^a, В. П. Михайлов^a, Н. В. Кулешов^a, Б. И. Минков^b, А. С. Автух^a

^a Международный лазерный центр при Белорусском национальном техническом университете, г. Минск
^b Институт прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко Белорусского государственного университета, г. Минск

Аннотация: Исследовано насыщение поглощения активированных Cr⁴⁺ силикатов Mg₂SiO₄ и Y₂SiO₅. Расcчитаны сечения поглощения из основного (³A₂(³F)) и возбужденного (³T₂(³F)) состояний на длине волны 694 нм. Реализован режим модулированной добротности в лазере на рубине с использованием пассивных затворов на кристаллах Mg₂SiO₄:Cr⁴⁺ и Y₂SiO₅:Cr⁴⁺. Длительность импульсов излучения τ = 100 нс, энергия E = 0.24 Дж.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Gd