Мини-лазер на иттербий-эрбиевом стекле с продольной полупроводниковой накачкой

Создан макет эрбиевого лазера с продольной накачкой от полупроводниковых лазерных диодов и пассивным затвором в качестве модулятора излучения. В режиме свободной генерации был получен дифференциальный КПД 38%. Показано, что для получения моноимпульса с длительностью 9 нс и энергией 1.8 мДж требуется энергия накачки всего 42 мДж (КПД 4.2%).