RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 7, страницы 617–622 (Mi qe2812)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Лазеры, активные среды лазеров

Ап-конверсия и перенос энергии возбуждения примесных ионов в кристаллах Y2SiO5:Pr3+, Lu2SiO5:Pr3+ и Gd2SiO5:Pr3+

Н. В. Знаменскийa, Э. А. Маныкинa, Ю. В. Орловa, Е. А. Петренкоa, Т. Г. Юкинаa, Ю. В. Малюкинb, П. Н. Жмуринb, А. Н. Лебеденкоb, А. А. Масаловb

a Российский научный центр "Курчатовский институт", г. Москва
b Институт монокристаллов НАН Украины, г. Харьков

Аннотация: При нерезонансной лазерной накачке с определенной плотностью мощности в кристаллах Y2SiO5:Pr3+, Lu2SiO5:Pr3+ и Gd2SiO5:Pr3+ обнаружена антистоксова флуоресценция с уровня 3P0 примесных ионов. Интегральная интенсивность антистоксовой 3P0-флуоресценции нелинейно зависит от плотности мощности излучения накачки. При изменении атомной концентрации примесных ионов (0.3%, 0.6% и 1.8%) имеет место насыщение интенсивности 3P0-флуоресценции, которое связано с концентрационным тушением 1D2-терма примесных ионов Pr3+. Антистоксова 3P0-флуоресценция и тушение 1D2-терма являются следствием кросс-релаксации энергии электронных возбуждений термов примесных ионов Pr3+.

PACS: 32.80.Bx, 32.80.Fb, 32.80.Rm

Поступила в редакцию: 01.12.2003
Исправленный вариант: 10.03.2004


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2004, 34:7, 617–622

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024