RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 9, страницы 823–824 (Mi qe2881)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Управление параметрами лазерного излучения

Временная эволюция импульса когерентного вынужденного излучения в трехуровневой системе в кристалле LaF3:Pr3+

А. И. Агафонов, Г. Г. Григорян, Н. В. Знаменский, Э. А. Маныкин, Ю. В. Орлов, Е. А. Петренко, А. Ю. Шашков

Российский научный центр "Курчатовский институт", г. Москва

Аннотация: Исследованы временные характеристики когерентного вынужденного излучения на переходе 3P03H6 иона Pr3+, введенного в матрицу LaF3, при перестройке частоты накачки в окрестностях перехода 3H43P0. Установлено, что при точной настройке в резонанс импульс генерации, состоящий из цуга пикосекундных пичков суммарной длительностью около 10 нс, был задержан относительно начала импульса накачки на 3 – 4 нс. С увеличением расстройки наблюдалось изменение формы импульса когерентного вынужденного излучения и увеличение его задержки до 10 нс. Предложена теоретическая интерпретация наблюдаемых экспериментальных результатов.

PACS: 32.80.-t, 42.55.Rz, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 13.01.2004
Исправленный вариант: 15.06.2004


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2004, 34:9, 823–824

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024