Лазерная очистка ультрадисперсного алмаза в водном растворе

Исследовано воздействие импульсного излучения гольмиевого лазера (YSGG:Cr³⁺:Yb³⁺:Ho³⁺, длина волны λ = 2.92 мкм, длительность импульса τ = 130 нс) и лазера на парах меди (λ = 510 нм, τ = 20 нс) на водную суспензию ультрадисперсного алмаза. Методами рентгеноэлектронной спектроскопии и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов установлено, что после облучения суспензии гольмиевым лазером в ней уменьшается содержание примесного неалмазного углерода. Этот процесс обусловлен его растворением в сверхкритическом водном растворе, возникающем при поглощении излучения. Растворение неалмазной фракции может служить индикатором нахождения раствора в закритическом состоянии при лазерном облучении жидкостей. Расcмотренный процесс может использоваться как эффективный метод очистки ультрадисперсных алмазов.