Аннотация:
В рамках трехзонной модели для квантоворазмерного активного слоя InGaAs выполнен расчет спектрального контура оптического усиления и спектральной зависимости коэффициента, характеризующего изменение показателя преломления с изменением концентрации носителей. Путем сравнения расчета с экспериментом найдены значения используемых в расчете параметров, позволяющие выполнять численное моделирование материальных параметров активного слоя с хорошей точностью.