RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2005, том 35, номер 4, страницы 316–322 (Mi qe2909)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Лазеры

Моделирование материального усиления квантоворазмерных слоев InGaAs, используемых в гетеролазерах, работающих в спектральной области 1.06 мкм

Д. В. Батракa, С. А. Богатоваb, А. В. Бородаенкоb, А. Е. Дракинa, А. П. Богатовa

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.

Аннотация: В рамках трехзонной модели для квантоворазмерного активного слоя InGaAs выполнен расчет спектрального контура оптического усиления и спектральной зависимости коэффициента, характеризующего изменение показателя преломления с изменением концентрации носителей. Путем сравнения расчета с экспериментом найдены значения используемых в расчете параметров, позволяющие выполнять численное моделирование материальных параметров активного слоя с хорошей точностью.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 22.10.2004


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2005, 35:4, 316–322

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024