Волна генерации точечных дефектов, сверхбыстрая нуклеация кластеров и лазерное повреждение прозрачных диэлектриков

Предложена и развита модель волн генерации дефектов и нуклеации кластеров, распространяющихся совместно в прозрачных диэлектриках, активированных межзонным электронным возбуждением при многофотонном поглощении лазерного излучения. Получены характеристики этих волн, такие как критическая интенсивность лазерного излучения, при которой происходит «зажигание» волн, их форма, скорость распространения и концентрация дефектов, образующихся при прохождении этих волн. На основе полученных результатов введен новый критерий многоимпульсного лазерного повреждения прозрачных диэлектриков.