RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 2, страницы 113–122 (Mi qe2948)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Обзор

Отечественные разработки мощных лазеров на моноокиси углерода

А. А. Ионин

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва

Аннотация: Дан обзор исследований и разработок лазеров на окиси углерода и их применений в России. В настоящее время в разных лабораториях разработаны различные типы непрерывных, импульсных и импульсно-периодических СО-лазеров. Непрерывные отпаянные СО-лазеры с водяным охлаждением и мощностью генерации 5–10 Вт, возбуждаемые самостоятельным электрическим разрядом, успешно используются в производстве приборов электроники и в медицине. Мощность генерации быстропроточного непрерывного криогенного СО-лазера с самостоятельным разрядом достигает ~1 кВт. Применение электроионизационной (ЭИ) накачки позволило создать импульсные ЭИ СО-лазеры с энергией до ~1 кДж и разработать непрерывный и импульсно-периодический ЭИ СО-лазеры с мощностью 10 кВт и КПД до ~40%. Исследования импульсных ЭИ СО-лазеров явились научной основой для создания СО-лазерных систем типа задающий генератор – усилитель и импульсно-периодических СО-лазеров. Разработана СО-лазерная система с энергией излучения ~200 Дж и угловой расходимостью излучения 2·10-4 рад. Сформулированы требования к эффективному усилению в активной среде и транспортировке через атмосферный воздух многочастотных импульсов излучения СО-лазеров с различными спектральными и временными свойствами. Разработаны сверхзвуковой ЭИ СО-лазер с пиковой мощностью ~105 Вт и импульсно-периодический ЭИ СО-лазер с дозвуковой прокачкой мощностью 10 кВт, генерирующий импульсы излучения с энергией ~100 Дж, следующие с частотой вплоть до 100 Гц. Обсуждаются ЭИ СО-лазеры с инжекцией лазерной смеси в жидкой фазе и лазеры с ядерной ионизацией активной среды.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.60.By, 42.60.Pk, 42.60.Rn, 42.60.Lh, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 28.05.1992


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1993, 23:2, 93–101

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024