RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 2, страницы 101–104 (Mi qe295)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Лазеры

Излучательные характеристики линеек инжекционных лазеров на длине волны 805 — 810 нм для накачки твердотельных лазеров

В. В. Безотосныйa, Ю. П. Ковальb, Н. В. Марковаa, Ю. М. Поповa, М. Н. Груденьb, В. И. Швейкинb

a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва

Аннотация: Изготовлены монолитные линейки инжекционных лазеров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с общей шириной излучающей поверхности 1 см, предназначенные для применения в системах накачки твердотельных лазеров. Ватт-амперные характеристики, полный КПД, спектральный состав излучения и форма светового импульса линеек изучены в наиболее интересном для оптической накачки твердотельных лазеров диапазоне длительностей импульсов накачки 0.1 — 1 мс. Максимальная импульсная мощность 70 Вт при токе 80 А была ограничена источником накачки.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.55.Rz


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1995, 25:2, 93–95

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024