Аннотация:
Изготовлены монолитные линейки инжекционных лазеров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с общей шириной излучающей поверхности 1 см, предназначенные для применения в системах накачки твердотельных лазеров. Ватт-амперные характеристики, полный КПД, спектральный состав излучения и форма светового импульса линеек изучены в наиболее интересном для оптической накачки твердотельных лазеров диапазоне длительностей импульсов накачки 0.1 — 1 мс. Максимальная импульсная мощность 70 Вт при токе 80 А была ограничена источником накачки.