Е. Г. Голикова, В. П. Дураев, С. А. Козиков, В. Г. Кригель, О. А. Лабутин, В. И. Швейкин, “Лазеры на основе InGaAsP/InP с квантово-размерными слоями”, Квантовая электроника, 22:2 (1995), 105

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Лазеры на основе InGaAsP/InP с квантово-размерными слоями

Е. Г. Голикова^a, В. П. Дураев^b, С. А. Козиков^a, В. Г. Кригель^a, О. А. Лабутин^a, В. И. Швейкин^a

^a Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
^b ЗАО "Нолатех" (Новая Лазерная Техника), г. Москва

Аннотация: Рассмотрены гетеролазеры на основе InGaAsP/InP (длина волны излучения 1.55 мкм) с квантово-размерными слоями, изготовленными методом МОС-гидридной эпитаксии. Описаны геометрия квантово-размерных слоев, оже-электронный профиль и ватт-амперные характеристики лазеров. Проанализированы основные характеристики лазеров с квантово-размерными слоями и показано, что эти лазеры обладают малыми пороговыми токами, шириной спектра люминесценции, оптическими потерями (менее 13 см^–1), а также повышенной характеристической температурой по сравнению с лазерами, изготовленными на основе объемного кристалла.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh