Аннотация:
Проанализированы температурные зависимости усиления в узкозонных полупроводниках, а также
порогового тока в ДГС-лазерах на PbSe/PbSnSe с учетом нескольких каналов прохождения токов:
туннельного, рекомбинационного на гетерогранице и токов утечек через гетеробарьер. Проведено
сравнение рассчитанных данных с экспериментальными результатами. Определены условия генерации
ДГС-лазеров на PbSe/PbSnSe при комнатной температуре.