RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 4, страницы 393–398 (Mi qe3005)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Высокоразрешающая рентгеновская спектроскопия плазмы, создаваемой интенсивным пикосекундным лазерным импульсом

Б. А. Брюнеткинa, М. П. Калашниковb, П. Никлесb, С. А. Пикузc, И. Ю. Скобелевa, А. Я. Фаеновa, М. Шнюрерb

a НПО ВНИИФТРИ, п. Менделеево, Московская обл.
b Институт нелинейной оптики и сверхбыстрой спектроскопии им. М. Борна, Берлин
c Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва

Аннотация: Экспериментально показано, что источник на основе плазмы, создаваемой пикосекундным лазером, является весьма перспективным для систематических исследований сателлитных структур многозарядных ионов, имеющих электроны в L- или M-оболочках. Сочетание уникальных характеристик источника и используемой регистрирующей аппаратуры (спектральное разрешение Δλ/λ~10–4) позволило уточнить длины волн ряда ранее идентифицированных переходов ионов Mg IX, X, впервые идентифицировать 10 спектральных линий, обусловленных переходами 1s2p4l → 1s24l и 1s2p3l → 1s23l иона Mg Х, а также измерить длины волн 47 спектральных линий, предположительно принадлежащих Ве-подобному иону Mg IX.

УДК: 621.373.826:533.9

PACS: 52.70.La, 52.50.Jm, 52.25.Jm, 52.25.Os, 52.25.Fi

Поступила в редакцию: 19.02.1993


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1993, 23:4, 337–342

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024