Параметры инжекционных лазеров, изготовленных из арсенида галлия с различной плотностью дислокаций

Исследовано влияние ростовых дислокаций на ваттамперные характеристики инжекционных лазеров на арсениде галлия, легированном теллуром до концентрации носителей (1–3) · 10¹⁸ см^–3. Приборы изготавливались из участков пластин с плотностью дислокаций от 10² до 10⁵ см^–2. Установлено, что оптическая неоднородность пластин не связана с распределением дислокаций в объеме материала. Не обнаружено однозначной связи между величиной плотности дислокаций в исходном кристалле и параметрами приборов (импульсной мощностью излучения, к. п. д., пороговой плотностью тока).