RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 5, страницы 447–453 (Mi qe3058)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Активные среды

Линейный режим нестационарного двойного резонанса в среде с доплеровским уширением спектральных переходов

А. Е. Дмитриев, О. М. Паршков

Саратовский государственный политехнический институт

Аннотация: Теоретически описан нестационарный режим двойного резонанса в схеме с общим верхним уровнем при доплеровском уширении линий спектральных переходов. Поле излучения с меньшей частотой (сигнал) предполагается слабым по сравнению с полем излучения с большей частотой (накачкой). Показано, что характер взаимодействия полей существенно определяется параметром n, равным корню квадратному из отношения сил осцилляторов в каналах накачки и сигнала. При n > 0,5 на достаточно больших расстояниях суммарное поле излучения представляется суперпозицией полей 2π-импульса накачки и связанного с ним экспоненциально нарастающего сигнального импульса стационарной формы. Зависимость коэффициента усиления сигнала от частоты излучения накачки и от энергии импульса накачки выражается через интеграл вероятности с комплексным аргументом. При n ≤ 0,5 сигнальный импульс по мере увеличения пройденного расстояния испытывает сильное дисперсионное расплывание, и темп его усиления ниже экспоненциального. Исследуются особенности формирования сигнального импульса в зависимости от отстроек от резонанса в каналах сигнала и накачки.

УДК: 621.373.375.8:541.3

PACS: 32.70.Cs, 32.70.Jz, 32.80.-t

Поступила в редакцию: 15.10.1992


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1993, 23:5, 385–390

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024