О влиянии концентрации примесей на пороговые характеристики полупроводниковых квантовых генераторов

Рассмотрены пороговые характеристики ПКГ в зависимости от степени легирования и температуры в модели оптических переходов из параболической зоны проводимости в примесную акцепторную зону с гауссовым распределением плотности состояний. Вычислены коэффициент усиления и скорость спонтанной рекомбинации, найдены зависимости порогового тока, квазиуровней Ферми и частоты генерации ПКГ от концентрации примесей и температуры.