Характеристики квантового генератора на арсениде галлия с накачкой пучком электронов высокой энергии

Исследовалось влияние облучения на пороговые и мощностные характеристики ПКГ на GaAs, возбуждаемого интенсивным пучком электронов с энергией от 250 до 800 кэв при комнатой температуре. Использовались как нелегированные кристаллы n-типа, так и кристаллы, легированные теллуром и цинком. Показано, что падение мощности излучения при увеличении дозы облучения связано с уменьшением времени жизни неравновесных носителей. Количество радиационных нарушений и скорость их накопления зависят от температуры облучения; при комнатной температуре имеет место заметный отжиг этих нарушений. Оптическая однородность и суммарный коэффициент нерезонансных потерь при облучении практически не изменяются.