RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 2, страницы 140–144 (Mi qe307)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Селективная металлизация алмазов с помощью лазерного излучения

Г. А. Шафеев, С. М. Пименов, Е. Н. Лубнин, А. А. Смолин, В. И. Конов, В. А. Лаптев

Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Экспериментально исследована лазерная активация алмазной поверхности (монокристаллы и поликристаллические алмазные пленки) для каталитического осаждения металлов из растворов. Активирование осуществлено с помощью лазера на парах меди либо эксимерного KrF-лазера двумя путями: разложением тонкой пленки ацетил-ацетоната палладия и локальной лазерно-стимулированной модификацией алмазной поверхности при лазерном испарении. Реализован омический контакт (Cu и Ni) с адгезией 3 Н/мм2, пространственное разрешение составляет 10 мкм.

PACS: 42.62.Cf, 81.15.Fg, 81.15.Ij

Поступила в редакцию: 31.12.1995


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1995, 25:2, 130–134

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024