RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1971, номер 3, страницы 90–92 (Mi qe3076)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Частотная модуляция полупроводникового лазера током инжекции

Ю. А. Быковский, В. Л. Величанский, В. А. Маслов, В. Л. Смирнов


Аннотация: Модуляция частоты излучения инжекционного лазера из GaAs, работавшего в непрерывном режиме, осуществлялась с помощью модуляции инжекционного тока. Описаны методика и результаты исследования частотной зависимости эффективности частотной модуляции (отношения амплитуды девиации частоты к амплитуде колебаний тока). При увеличении частоты модуляции от 5 до 200 кгц эффективность уменьшается в 30 раз. Экспериментальные данные согласуются с расчетом температурной зависимости частоты и теплового режима лазера.

УДК: 621.378.329

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Fc, 42.60.Pk, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 02.09.1970


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1971, 1:3, 268–270


© МИАН, 2024