RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Квантовая электроника
// Архив
Квантовая электроника,
1993
, том 20,
номер 6,
страницы
532–534
(Mi qe3099)
Эта публикация цитируется в
4
статьях
Письма в редакцию
Новые возможности возбуждения генерации стимулированного излучения активированных лазерных кристаллов
А. А. Каминский
Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова АН РФ, г. Москва
Аннотация:
С использованием новых принципов накачки, базирующихся на ГВГ и ВКР, предложены и реализованы новые схемы возбуждения стимулированного излучения в лазерных кристаллах с активаторными ионами Ln
3+
.
УДК:
621.373.826.038.825.2
PACS:
42.65.Ky
,
42.70.Hj
,
42.65.Dr
,
78.45.+h
Поступила в редакцию:
27.05.1993
Полный текст:
PDF файл (120 kB)
Список цитирования
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1993,
23
:6,
457–458
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2024