RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 6, страницы 532–534 (Mi qe3099)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Письма в редакцию

Новые возможности возбуждения генерации стимулированного излучения активированных лазерных кристаллов

А. А. Каминский

Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова АН РФ, г. Москва

Аннотация: С использованием новых принципов накачки, базирующихся на ГВГ и ВКР, предложены и реализованы новые схемы возбуждения стимулированного излучения в лазерных кристаллах с активаторными ионами Ln3+.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.65.Ky, 42.70.Hj, 42.65.Dr, 78.45.+h

Поступила в редакцию: 27.05.1993


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1993, 23:6, 457–458

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024