RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 6, страницы 569–573 (Mi qe3103)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Лазеры

Эффективная генерация лазерного излучения в области 1,4 мкм в кристалле Gd3Ga5O12:Cr,Ce,Nd

М. Е. Дорошенко, В. В. Осико, В. Б. Сигачев, М. И. Тимошечкин

Институт общей физики АН РФ, г. Москва

Аннотация: Выполнено сравнение спектроскопических и генерационных свойств кристаллов Gd3Ga5O12:Cr, Nd (ГГГ: Cr, Nd) и ИАГ: Nd в области 1,3 – 1,45 мкм. Найдены сечения индуцированных переходов ионов Nd3+ в указанной области спектра. Впервые в кристалле ГГГ: Cr,Nd получена лазерная генерация излучения на длине волны 1,4237 мкм. Для лазера на основе кристалла ГГГ : Cr,Ce,Nd при ламповой накачке в режиме свободной генерации на этой длине волны получена энергия импульса излучения 2,3 Дж с абсолютным КПД 1,2%. При частоте следования импульсов 13 Гц достигнута средняя выходная мощность лазера 21,6 Вт. Обсуждаются преимущества кристаллов ГГГ: Cr,Nd для генерации излучения в области 1,4 мкм по сравнению с кристаллами ИАГ: Nd.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.60.By, 42.60.Lh, 78.30.Hv, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 19.01.1993


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1993, 23:6, 490–493

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024