RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1971, номер 3, страницы 120–121 (Mi qe3110)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Об оптимальной толщине активного слоя в гетеролазере

П. Г. Елисеев


Аннотация: Рассмотрен вопрос об оптимизации симметричной гетероструктуры и минимальном значении порогового тока в гетеролазере при 300°K. Показано, что при линейной, а также суперлинейной (но более слабой, чем квадратичная) зависимости оптического усиления от тока оптимальная толщина активного слоя d0 выводится из волноводной модели гетероструктуры и составляет в первом случае 0,27 мкм при относительном скачке диэлектрической проницаемости на границе активного слоя δε/ε = 0,04 (что, по-видимому, достигается в гетеропереходах GaAs–AlxGa1–xAs). При более сильной зависимости усиления от тока оптимизация диэлектрического волновода приводит к d0 → 0. В расчет должны быть приняты границы возрастания усиления. С учетом этих обстоятельств найдены минимальные значения порога генерации в ненагруженном резонаторе Фабри–Перо при 300°K в разных условиях. Эти значения находятся в области ~ 1 ка/см2.

УДК: 543.42:621.378.325

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 42.60.Da, 42.79.Gn

Поступила в редакцию: 18.01.1971


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1971, 1:3, 304–305


© МИАН, 2024