Условия нейтрализации паразитной фоторефракции в лазере с электрооптической отрицательной обратной связью

Анализируются области устойчивости высокоэнергетических моноимпульсных микро- и миллисекундных лазеров при квазинепрерывной накачке и электрооптической отрицательной обратной связи (ООС) в приближении безынерционной ООС и с учетом интегрирования в ее цепи. Исследуется паразитная фоторефракция в кристаллах DKDP, являющаяся дополнительным и очень эффективным фактором возбуждения в них пичковой генерации. Фоторефракция учтена в линейном приближении и характеризуется порогом по мощности генерации в лазере. Определены параметры цепи ООС, полностью нейтрализующие фоторефракцию при высокой мощности (энергии) моноимпульсной генерации. Показано, что полученные результаты можно использовать для создания автоматизированных высокоэнергетичных моноимпульсных лазеров с программируемыми параметрами импульсов генерации.