Аннотация:
Исследовано воздействие электромагнитного излучения на процессы роста эпитаксиальных структур.
В экспериментах по выращиванию пленок А4В6 использовались мощная ксеноновая лампа, импульсный и непрерывный УФ лазеры. Определены условия получения непланарных пленочных структур. Экспериментально исследованы свойства пленок, легированных индием, включая переходной слой между пленкой и подложкой, а также процессы отслоения пленок. Рассмотрена модель процессов на поверхности кристаллизации и показана необходимость учета при анализе фотостимулирванной эпитаксии кинетики дефектов.