Объединенная лаборатория оптоэлектроники Всероссийского
научно-исследовательского института оптико-физических
измерений и Московского института радиотехники,
электроники и автоматики, Москва
Аннотация:
Исследованы энергетические характеристики высокоэффективных инжекционных лазеров с узким активным
каналом на основе гетероструктур с раздельным ограничением в системах (GaAI)As и (InСа)PAs
в режиме накачки токовыми импульсами длительностью 0.5 нс с многократным (до 1000:1) превышением
порога генерации. Указано на ограничения энергии выходных импульсов, связанные с нелинейными
внутренними потерями и деградацией лазерных диодов.
Полный текст:
PDF файл (150 kB)
