Кинетика просветления и наведенного поглощения в стеклах с микрокристаллами CuInS2xSe2(1-x) при пикосекундном возбуждении

Исследованы зависимости пропускания и кинетики изменения поглощения стекол с микрокристаллами CuInS_2xSe_2(1-x) от интенсивности возбуждающих импульсов длительностью 15 пс с длиной волны 1.08 и 0.54 мкм. Для энергий фотонов, незначительно превышающих ширину запрещенной зоны, при низких интенсивностях возбуждения (50 МВт/см²) наблюдается состояние просветления со временем релаксации ~11 пс, обусловленное заполнением уровней размерного квантования в микрокристаллах CuInS_2xSe_2(1-x). При повышении уровня накачки обнаружен быстрый (~40 пс) переход от просветления к сильному наведенному поглощению с временем релаксации ~4 нс, которое связывается с двухфотонными межзонными переходами. При высоких интенсивностях накачки (~10 ГВт/см²) наблюдается только наведенное поглощение. Для энергий фотонов возбуждения, значительно превышающих ширину запрещенной зоны, просветление не наблюдается, а увеличение уровня накачки приводит к появлению наведенного поглощения. Проведены оценки параметра двухфотонного поглощения для стекол с микрокристаллами CuInS_2xSe_2(1-x) на длине волны 1.08 мкм. При использовании исследуемых стекол для синхронизации мод импульсных YAG:Nd и YAlO₃:Nd-лазеров были получены УКИ с длительностью 36 и 16 пс соответственно.