В. В. Баланюк, В. Ф. Краснов, С. Л. Мушер, В. И. Проць, В. Э. Рябченко, С. А. Стоянов, С. Г. Струц, М. Ф. Ступак, В. С. Сыскин, “Выявление локальных характеристик кристаллического совершенства и ориентации полупроводниковых пленок CdTe методами нелинейной оптики”, Квантовая электроника, 22:2 (1995), 196

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Выявление локальных характеристик кристаллического совершенства и ориентации полупроводниковых пленок CdTe методами нелинейной оптики

В. В. Баланюк^a, В. Ф. Краснов^a, С. Л. Мушер^a, В. И. Проць^a, В. Э. Рябченко^a, С. А. Стоянов, С. Г. Струц^a, М. Ф. Ступак^a, В. С. Сыскин^a

^a Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследовано локальное кристаллическое качество эпитаксиальных пленок CdTe с использованием ГВГ YAP:Nd-лазера в геометрии 'на просвет'. Показаны возможности применения созданного автоматизированного лазерного комплекса для локальной экспресc-диагностики кристаллического качества эпитаксиальных пленок.

PACS: 78.66.Fd, 42.65.Ky, 07.60.-j

Поступила в редакцию: 31.12.1995