А. Н. Алпатьев, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков, “Модель активной среды на основе кристалла ИСГГ:Cr, Тm, Но”, Квантовая электроника, 20:11 (1993), 1105

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Активные среды

Модель активной среды на основе кристалла ИСГГ:Cr, Тm, Но

А. Н. Алпатьев, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков

Институт общей физики АН РФ, г. Москва

Аннотация: На основании построенной модели активной среды ИСГГ:Cr, Тm, Но (генерация на переходе ⁵I₇→⁵I₈ иона Ho³⁺), выявлены особенности заселения уровня ³H₄ иона Tm³⁺ и уровня ⁵I₇ иона Ho³⁺ при стационарной накачке, влияющие на основные генерационные характеристики лазера – дифференциальный КПД и порог генерации. Получено согласие экспериментальных данных с расчетными.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.70.Hj, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 20.04.1993