Прохождение когерентного ультракороткого импульса света через полупроводник

Рассмотрено резонансное взаимодействие ультракороткого импульса когерентного света с полупроводником, когда длительность импульса меньше времени релаксации поляризации или «фазовой памяти» среды. Показано, что в определенных условиях возможно образование стационарного 2π-импульса. При характерных значениях параметров полупроводника получены численные оценки для скорости распространения стабильного импульса.