Многоэлементный полупроводниковый лазер типа «излучающее зеркало»

Сообщается о создании многоэлементного лазера типа излучающего зеркала на кристалле CaAs с накачкой электронным пучком. Мощность генерации линейно возрастает с увеличением площади многоэлементной мишени. Достигнута мощность 28 Квт с кристалла площадью 1 см². Полуширина диаграммы направленности 7°, спектр генерации состоит из нескольких линий, соответствующих модам резонатора Фабри–Перо.