Аннотация:
Экспериментально исследована зависимость порога генерации инжекционных лазеров с диффузионными и гетеропереходами в системе GaAs–AlAs от длительности импульсов тока накачки в интервале 2–100 нсек. Определены величины эффективного времени жизни инжектируемых электронов для трех типов лазеров: с диффузионным р–n-переходом ( ~ 1 нсек), с одним гетеропереходом (~2,5 нсек) и с двумя гетеропереходами (3–6 нсек).
УДК:
621.378.35
PACS:42.55.Px, 42.55.Ah, 42.65.Re, 42.60.Jf
Поступила в редакцию: 22.02.1971 Исправленный вариант: 06.05.1971