RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1971, номер 5, страницы 129–131 (Mi qe3269)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

О методе выделения слабых линий вынужденного комбинационного рассеяния при помощи селективного поглощения на частоте наиболее сильной стоксовой компоненты

М. Пфайффер, В. Вернке, А. Лау, Х.-И. Вайгман, К. Ленц, П. Гадов


Аннотация: При вынужденном комбинационном рассеянии обычно в спектре проявляется только компонента комбинационного рассеяния с наибольшим коэффициентом усиления. Ее появление обусловливает такое сильное истощение интенсивности возбуждающего лазера, что другие сигналы комбинационного рассеяния не могут вырасти до порога чувствительности приемника. При помощи селективного поглощения для преобладающей стоксовой компоненты можно облегчить появление других частот комбинационного рассеяния. Теоретически показано, что при использовании поглощающей жидкости, для которой достижимо соотношение коэффициентов поглощения на частоте первой стоксовой компоненты и на частоте лазера 100 : 1, порог обнаружения слабых компонент может быть снижен в 7 раз.

УДК: 535.36:621.378

PACS: 42.65.Dr, 78.30.-j

Поступила в редакцию: 24.05.1971


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1972, 1:5, 544–546


© МИАН, 2024