RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 12, страницы 1152–1154 (Mi qe3273)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Лазеры

Лазер на кристалле GdVO4: Nd3+ с полупроводниковой накачкой

А. И. Загуменныйa, Н. В. Кравцовb, О. Е. Нанийb, М. Ю. Никольскийa, A. М. Прохоровa, В. В. Фирсовb, И. А. Щербаковa

a Институт общей физики АН РФ, г. Москва
b НИИ ядерной физики, МГУ им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Сообщается о создании и исследовании эффективного лазера на кристалле GdVO4: Nd3+ с длиной волны генерации 1062.9 нм и дифференциальным КПД 54%.

УДК: 621.373.826.038.825:2

PACS: 42.55.Rz, 42.60.By, 42.60.Jf, 42.60.Lh, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 27.04.1993


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1993, 23:12, 999–1000

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024