Аннотация:
Экспериментально исследованы временные характеристики инжекционных полупроводниковых гетеролазеров на основе GaAs–GaxAl1–xAs в широком интервале температур и токов инжекции. Приводятся зависимости времени задержки когерентного излучения и переходных процессов от тока инжекции и температуры диодов.