RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1971, номер 6, страницы 110–112 (Mi qe3310)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Временные характеристики инжекционных лазеров на основе гетероструктур

Л. Н. Курбатов, В. И. Молочев, В. В. Никитин, А. И. Шарин


Аннотация: Экспериментально исследованы временные характеристики инжекционных полупроводниковых гетеролазеров на основе GaAs–GaxAl1–xAs в широком интервале температур и токов инжекции. Приводятся зависимости времени задержки когерентного излучения и переходных процессов от тока инжекции и температуры диодов.

УДК: 621.378.3

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 27.05.1971


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1972, 1:6, 655–657


© МИАН, 2024