RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1992, том 19, номер 1, страницы 18–22 (Mi qe3324)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Влияние малых доз излучения на параметры инжекционных лазеров

А. И. Койфман, И. В. Мартьянова, А. В. Хайдаров

Научно-исследовательский институт прикладной физики при Ташкентском государственном университете им. В. И. Ленина

Аннотация: Изучено воздействие малых доз излучения (~103–104 Р) гамма- и гамма-нейтронных полей на параметры лазерных гетероструктур на основе InGaAsP/InP и AlGaAs/GaAs. При облучении гамма-квантами дозами до 103 Р и потоками нейтронов до ~1014 см–2 наблюдается уменьшение порогового тока на 5–15 %. Обсуждаются микромеханизмы радиационной деградации лазерных гетероструктур и возможное применение радиационной технологии при создании радиационно-стойких инжекционных лазеров.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.60.Lh, 81.15.Lm

Поступила в редакцию: 22.02.1991


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1992, 22:1, 12–15

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024