Научно-исследовательский институт прикладной физики при Ташкентском государственном университете им. В. И. Ленина
Аннотация:
Изучено воздействие малых доз излучения (~103–104 Р) гамма- и гамма-нейтронных полей на параметры лазерных гетероструктур на основе InGaAsP/InP и AlGaAs/GaAs. При облучении гамма-квантами дозами до 103 Р и потоками нейтронов до ~1014 см–2 наблюдается уменьшение порогового тока на 5–15 %.
Обсуждаются микромеханизмы радиационной деградации лазерных гетероструктур и возможное применение радиационной технологии при создании радиационно-стойких инжекционных лазеров.