RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1992, том 19, номер 2, страницы 111–113 (Mi qe3350)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Письма в редакцию

Новый разупорядоченный кристалл Ca2Ga2SiO7:Nd3+ для мощных твердотельных лазеров

А. А. Каминскийabc, В. А. Карасевabc, В. Д. Дубровabc, В. П. Якунинabc, Б. В. Милльabc, А. В. Буташинabc

a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова АН СССР, Москва
b Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам АН СССР, Шатура, Моск. обл.
c Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Создан и изучен новый эффективный импульсный твердотельный лазер с ламповой накачкой на основе разупорядоченных кристаллов Ca2Ga2SiO7:Nd3+ (канал генерации 4F3/24I11/2).

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.60.By, 42.70.Hj, 42.60.Pk, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 31.10.1991


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1992, 22:2, 97–98

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024