Институт сильноточной электроники СО АН СССР, Томск
Аннотация:
На основании исследований спонтанного излучения и генерации, измерений концентрации и температуры
электронов, а также анализа скоростей процессов в смесях гелия, неона и аргона с NF3 при накачке
самостоятельным разрядом показано, что заселение верхнего лазерного уровня при генерации на атомарных
переходах инертных газов осуществляется за счет процессов электронного возбуждения, и длительность импульса
генерации в послесвечении ограничена процессом ион-ионной рекомбинации.