В. М. Хулугуров, Н. А. Иванов, Д. В. Иншаков, Е. А. Олейников, В. Н. Войцеховский, В. Э. Якобсон, “Усиление в кристалле LiF:F2– при ВКР в кристалле Ba(NO3)2”, Квантовая электроника, 19:2 (1992), 162

Физические процессы в лазерных средах

Усиление в кристалле LiF:F₂^– при ВКР в кристалле Ba(NO₃)₂

В. М. Хулугуров, Н. А. Иванов, Д. В. Иншаков, Е. А. Олейников, В. Н. Войцеховский, В. Э. Якобсон

Научно-исследовательский институт прикладной физики при Иркутском государственном университете, Иркутск

Аннотация: Показана возможность усиления слабого затравочного стоксова излучения попутного и встречного ВКР в кристалле нитрата бария с помощью кристалла LiF с F₂^–-центрами окраски, что позволило достичь высокой эффективности преобразования энергии накачки в энергию стоксова излучения без фокусировки пучка накачки.

УДК: 621.373.826.038.825

PACS: 42.65.Dr, 42.70.Nq, 42.50.Gy

Поступила в редакцию: 12.07.1991