Сенсибилизация люминесценции ионов Ег3+ с ионами Се3+ в кристалле YAG

В кристалле YAG:Се³⁺:Ег³⁺ зафиксирована безызлучательная передача энергии от Се³⁺ к Ег³⁺ с высокой эффективностью. Экспериментально показано, что возбуждение уровня ⁴S_3/2 преобразуется в инверсную населенность между генерирующими штарковскими подуровнями уровней ⁴I_11/2 и ⁴I_13/2 с максимальной эффективностью в кристалле YAG. В кристалле YAG:Се³⁺:Ег³⁺ тушение уровня ⁴I_11/2 иона Ег³⁺ ионами Се³⁺ незначительно. Вклад ионов Се³⁺ в населенность рабочих уровней ионов Ег³⁺ в кристалле YAG:Се³⁺:Ег³⁺ составил 15–20 %.