Квантовая электроника,
2005, том 35, номер 8,страницы 749–755(Mi qe3411)
Воздействие лазерного излучения на вещество
Численное моделирование квазирезонансного режима нестационарного двойного резонанса в схеме с общим верхним уровнем при большом неоднородном уширении линий квантовых переходов
Аннотация:
Численно исследуется нестационарный двойной резонанс в Λ-схеме при большой спектральной неоднородности среды и ненулевых отстройках частот взаимодействующих импульсов от центральных частот соответствующих квантовых переходов. Показано, что сигнальный импульс эффективно взаимодействует с импульсом накачки только при выполнении определенного условия, накладываемого на упомянутые отстройки. Если на входе в резонансную среду данное условие сильно нарушено, то с полем накачки взаимодействует в основном слабое поле заднего фронта входного сигнального импульса. При этом в сигнальном канале формируются два импульса с различными частотами. Последнее объясняется спецификой взаимодействия излучения с уширенными за счет эффекта Доплера квантовыми переходами.
PACS:
32.80.Bx, 42.50.Gy
Поступила в редакцию: 20.12.2004 Исправленный вариант: 05.04.2005