RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2005, том 35, номер 8, страницы 749–755 (Mi qe3411)

Воздействие лазерного излучения на вещество

Численное моделирование квазирезонансного режима нестационарного двойного резонанса в схеме с общим верхним уровнем при большом неоднородном уширении линий квантовых переходов

А. Е. Дмитриев, О. М. Паршков

Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю. А.

Аннотация: Численно исследуется нестационарный двойной резонанс в Λ-схеме при большой спектральной неоднородности среды и ненулевых отстройках частот взаимодействующих импульсов от центральных частот соответствующих квантовых переходов. Показано, что сигнальный импульс эффективно взаимодействует с импульсом накачки только при выполнении определенного условия, накладываемого на упомянутые отстройки. Если на входе в резонансную среду данное условие сильно нарушено, то с полем накачки взаимодействует в основном слабое поле заднего фронта входного сигнального импульса. При этом в сигнальном канале формируются два импульса с различными частотами. Последнее объясняется спецификой взаимодействия излучения с уширенными за счет эффекта Доплера квантовыми переходами.

PACS: 32.80.Bx, 42.50.Gy

Поступила в редакцию: 20.12.2004
Исправленный вариант: 05.04.2005


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2005, 35:8, 749–755

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024