RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2005, том 35, номер 4, страницы 344–346 (Mi qe3421)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Лазеры

Усиление пикосекундных импульсов в кристаллах LiF:F2- при синхронной пико- и наносекундной лазерной накачке

Т. Т. Басиев, А. Я. Карасик, В. А. Конюшкин, В. В. Осико, А. Г. Папашвили, Д. С. Чунаев

Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Предложена и реализована схема усиления пикосекундных импульсов в кристаллах LiF:F2- при последовательной синхронной пико- и наносекундной лазерной накачке излучением YLF:Nd-лазеров. В результате двухстадийного усиления цугов импульсов ВКР с λ = 1150 нм и длительностью 22 пс, излучаемых кристаллом PbMoO4, достигнут коэффициент усиления по мощности (2 - 4) × 103 и получены одиночные импульсы длительностью 6 пс с энергией 0.88 мДж.

PACS: 42.65.Dr, 42.70.Mp

Поступила в редакцию: 20.12.2004
Исправленный вариант: 22.02.2005


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2005, 35:4, 344–346

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024