RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1992, том 19, номер 4, страницы 369–371 (Mi qe3437)

Активные среды

Влияние запрещенных переходов на структуру полосы усиления молекул ХеСl

В. Т. Платоненко, М. К. Шаяхметова

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Обсуждается влияние запрещенных переходов на структуру и форму полосы усиления BX молекул XeCl. Полоса, рассчитанная с учетом запрещенных переходов, лучше согласуется с экспериментально измеренными длинами волн генерации XeCl-лазера, чем полоса, рассчитанная с учетом только разрешенных переходов.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.60.By, 42.60.Lh, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 07.06.1991


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1992, 22:4, 334–336

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024