RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1992, том 19, номер 4, страницы 376–378 (Mi qe3447)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Активные среды

Параметры переноса энергии возбуждения с уровня 4I11/2 иона Еr3+ в кристаллах (Y1-хЕrх)3Al5O12

Х. С. Багдасаров, В. П. Данилов, В. И. Жеков, Т. М. Мурина, Н. Н. Платнов, A. М. Прохоров

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Рассмотрена концентрационная зависимость параметра ап-конверсионного переноса энергии ω2. Показано, что при малой плотности возбуждений эта зависимость квадратична.

УДК: 621.373.826.038.825

PACS: 78.55.Hx, 42.70.Mp

Поступила в редакцию: 22.10.1991


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1992, 22:4, 341–343

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024