RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Квантовая электроника
// Архив
Квантовая электроника,
1992
, том 19,
номер 4,
страницы
376–378
(Mi qe3447)
Эта публикация цитируется в
3
статьях
Активные среды
Параметры переноса энергии возбуждения с уровня
4
I
11/2
иона Еr
3+
в кристаллах (Y
1-
х
Еr
х
)
3
Al
5
O
12
Х. С. Багдасаров
,
В. П. Данилов
,
В. И. Жеков
,
Т. М. Мурина
,
Н. Н. Платнов
,
A. М. Прохоров
Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация:
Рассмотрена концентрационная зависимость параметра ап-конверсионного переноса энергии ω
2
. Показано, что при малой плотности возбуждений эта зависимость квадратична.
УДК:
621.373.826.038.825
PACS:
78.55.Hx
,
42.70.Mp
Поступила в редакцию:
22.10.1991
Полный текст:
PDF файл (1217 kB)
Список цитирования
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1992,
22
:4,
341–343
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2024